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WNSCM80120RQ

WNSCM80120RQ
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產(chǎn)品型號(hào) WNSCM80120RQ
制造商 WeEn Semiconductors Co., Ltd
產(chǎn)品介紹 WNSCM80120R/TO247-4L/STANDARD MA
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 20A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 1000 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)270W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4L
Package / CaseTO-247-4

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