KFJ4B01100L
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產(chǎn)品型號 | KFJ4B01100L |
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制造商 | Nuvoton Technology Corporation |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 1.5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 459 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 4-CSP (0.8x0.8) |
Package / Case | 4-XFLGA, CSP |
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