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XP3N1R0MT

XP3N1R0MT
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產(chǎn)品型號 XP3N1R0MT
制造商 XSemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 40.6A PMPAK-5X6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54.2A (Ta), 245A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12320 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)5W (Ta), 104W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePMPAK? 5 x 6
Package / Case8-PowerLDFN

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