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RF1S9530

RF1S9530
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產(chǎn)品型號 RF1S9530
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 -12A, -100V, 0.3 OHM, P-CHANNEL
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 6.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)75W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageI2PAK (TO-262)
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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