RM12N650IP
Rectron USA圖片僅供參考。
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| 產品型號 | RM12N650IP |
|---|---|
| 制造商 | Rectron USA |
| 產品介紹 | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO251 我們努力為客戶提供 Rectron USA品牌的產品RM12N650IP 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網 www.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數
- pdf參數資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 50 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-251 |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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