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RM8N650LD

RM8N650LD
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產(chǎn)品型號 RM8N650LD
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)80W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252-2
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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