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RM12N100S8

RM12N100S8
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產(chǎn)品型號 RM12N100S8
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CHANNEL 100V 12A 8SOP
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2250 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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