RM2N650IP
Rectron USA圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號(hào) | RM2N650IP |
|---|---|
| 制造商 | Rectron USA |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251 我們努力為客戶提供 Rectron USA品牌的產(chǎn)品RM2N650IP 最有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 50 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-251 |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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