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CPH6311-TL-E

CPH6311-TL-E
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產(chǎn)品型號(hào) CPH6311-TL-E
制造商 Sanyo
產(chǎn)品介紹 P-CHANNEL SILICON MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1230 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-CPH
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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