RM6N100S4V
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產(chǎn)品型號(hào) | RM6N100S4V |
---|---|
制造商 | Rectron USA |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-223-3 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
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