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RM2A3P60S4

RM2A3P60S4
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產品型號 RM2A3P60S4
制造商 Rectron USA
產品介紹 MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT223-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223-3
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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