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RM5A1P30S6

RM5A1P30S6
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產(chǎn)品型號(hào) RM5A1P30S6
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 5.1A SOT23-6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1280 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.56W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-6
Package / CaseSOT-23-6

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