RMD1N25ES9
Rectron USA圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | RMD1N25ES9 |
|---|---|
| 制造商 | Rectron USA |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363 我們努力為客戶提供 Rectron USA品牌的產(chǎn)品RMD1N25ES9 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 500mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-363-6L |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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