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RM2301E

RM2301E
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產(chǎn)品型號(hào) RM2301E
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CHANNEL 20V 2.6A SOT23
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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