RM1A5N30S3AE
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產(chǎn)品型號 | RM1A5N30S3AE |
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制造商 | Rectron USA |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta), 1.4A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144mOhm @ 1A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 105 pF @ 15 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 500mW (Tc) | Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-323 |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
RM1A5N30S3AE 相關(guān)的關(guān)鍵詞
RM1A5N30S3AE是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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