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RM1A5N30S3AE

RM1A5N30S3AE
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產(chǎn)品型號 RM1A5N30S3AE
制造商 Rectron USA
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SOT323
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta), 1.4A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs144mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds105 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta), 500mW (Tc) Operating Temperature-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-323
Package / CaseSC-70, SOT-323

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