G3R20MT12K
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產(chǎn)品型號 | G3R20MT12K |
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制造商 | GeneSiC Semiconductor |
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Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 128A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 15mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 219 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5873 pF @ 800 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 542W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-4 |
Package / Case | TO-247-4 |
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G3R20MT12K是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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