GC11N65F
Goford Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | GC11N65F |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產(chǎn)品GC11N65F 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 901 pF @ 50 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 31.3W | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220F |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
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GC11N65F是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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