G075N06MI
Goford Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | G075N06MI |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | N60V, 110A,RD<7M@10V,VTH1.0V~4.0 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產(chǎn)品G075N06MI 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 20A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6443 pF @ 30 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263 |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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