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FBG10N30BSH

FBG10N30BSH
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產(chǎn)品型號 FBG10N30BSH
制造商 EPC Space
產(chǎn)品介紹 GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 5 V Vgs (Max)+6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package4-SMD
Package / Case4-SMD, No Lead

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