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TSM2N60SCW RPG

TSM2N60SCW RPG
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產(chǎn)品型號 TSM2N60SCW RPG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
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Product parameter

Product StatusObsolete FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 600mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds435 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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