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IV1Q12160T4

IV1Q12160T4
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產(chǎn)品型號(hào) IV1Q12160T4
制造商 Inventchip Technology
產(chǎn)品介紹 SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs195mOhm @ 10A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id2.9V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 20 V Vgs (Max)+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds885 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)138W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-4
Package / CaseTO-247-4

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