TP44100SG
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產(chǎn)品型號 | TP44100SG |
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制造商 | Tagore Technology |
產(chǎn)品介紹 | GAN FET HEMT 650V .09OHM 22QFN 我們努力為客戶提供 Tagore Technology品牌的產(chǎn)品TP44100SG 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù),請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 6V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 500mA, 6V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 11mA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 6 V | Vgs (Max) | - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 400 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 22-QFN (5x7) |
Package / Case | 22-PowerVFQFN |
TP44100SG 相關(guān)的關(guān)鍵詞
TP44100SG是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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