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IPB330P10NMATMA1

IPB330P10NMATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPB330P10NMATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 TRENCH >=100V PG-TO263-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.9A (Ta), 62A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 53A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 5.55mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 300W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO263-3
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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