CGD65B200S2-T13
Cambridge GaN Devices圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | CGD65B200S2-T13 |
|---|---|
| 制造商 | Cambridge GaN Devices |
| 產(chǎn)品介紹 | 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6. 我們努力為客戶提供 Cambridge GaN Devices品牌的產(chǎn)品CGD65B200S2-T13 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | - |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 9V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V | Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - | FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
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