1N65L
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產(chǎn)品型號(hào) | 1N65L |
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制造商 | UMW |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tj) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11Ohm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-252 (DPAK) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
1N65L 相關(guān)的關(guān)鍵詞
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