G7K2N20HE
Goford Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | G7K2N20HE |
|---|---|
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | N200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH1V~2 我們努力為客戶提供 Goford Semiconductor品牌的產(chǎn)品G7K2N20HE 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 568 pF @ 100 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
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