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1002

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產(chǎn)品型號(hào) 1002
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds387 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.3W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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