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G65P06D5

G65P06D5
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產(chǎn)品型號 G65P06D5
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5814 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)130W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-DFN (4.9x5.75)
Package / Case8-PowerTDFN

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