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03N06

03N06
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產(chǎn)品型號 03N06
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.6 nC @ 30 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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