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G05P06L

G05P06L
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產(chǎn)品型號 G05P06L
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1366 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)4.3W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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