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G6N02L

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產品型號 G6N02L
制造商 Goford Semiconductor
產品介紹 MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.5 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1140 pF @ 10 V FET FeatureStandard
Power Dissipation (Max)1.8W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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