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GSFW02009

GSFW02009
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產(chǎn)品型號(hào) GSFW02009
制造商 Good Ark Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C850mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs640mOhm @ 550mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds58 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)690mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-883
Package / CaseSC-101, SOT-883

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