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S2M0080120D

S2M0080120D
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產(chǎn)品型號 S2M0080120D
制造商 SMC Diode Solutions
產(chǎn)品介紹 MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 20 V Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1324 pF @ 1000 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)231W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247AD
Package / CaseTO-247-3

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