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CMLDM8120G TR PBFREE

CMLDM8120G TR PBFREE
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產(chǎn)品型號 CMLDM8120G TR PBFREE
制造商 Central Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C860mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.56 nC @ 4.5 V Vgs (Max)8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 16 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)350mW (Ta) Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-563
Package / CaseSOT-563, SOT-666

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