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TSM018NB03CR RLG

TSM018NB03CR RLG
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產品型號 TSM018NB03CR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產品介紹 MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Ta), 194A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 29A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7252 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 136W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-PDFN (5x6)
Package / Case8-PowerTDFN

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