TSM045NB06CR RLG
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產(chǎn)品型號 | TSM045NB06CR RLG |
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制造商 | Taiwan Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 104A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 16A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6870 pF @ 30 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-PDFN (5.2x5.75) |
Package / Case | 8-PowerLDFN |
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