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TSM045NB06CR RLG

TSM045NB06CR RLG
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產(chǎn)品型號 TSM045NB06CR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 104A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6870 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 136W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-PDFN (5.2x5.75)
Package / Case8-PowerLDFN

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