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TSM033NB04LCR RLG

TSM033NB04LCR RLG
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產(chǎn)品型號(hào) TSM033NB04LCR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 121A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 21A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs79 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4456 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 107W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-PDFN (5.2x5.75)
Package / Case8-PowerLDFN

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