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PJD9N10A_L2_00001

PJD9N10A_L2_00001
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產(chǎn)品型號 PJD9N10A_L2_00001
制造商 PANJIT
產(chǎn)品介紹 100V N-CHANNEL MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Ta), 9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs152mOhm @ 4.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1021 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta), 31W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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