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TSM13ND50CI

TSM13ND50CI
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產(chǎn)品型號(hào) TSM13ND50CI
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 500V 13A ITO220
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 3.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1877 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)57W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageITO-220
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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