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TSM220NB06LCR RLG

TSM220NB06LCR RLG
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產(chǎn)品型號(hào) TSM220NB06LCR RLG
制造商 Taiwan Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta), 35A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1314 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta), 68W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-PDFN (5.2x5.75)
Package / Case8-PowerLDFN

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