TP65H050G4WS
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| 產(chǎn)品型號(hào) | TP65H050G4WS |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 產(chǎn)品介紹 | 650 V 34 A GAN FET 我們努力為客戶提供 Transphorm品牌的產(chǎn)品TP65H050G4WS 最有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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