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TP65H070LSG-TR

TP65H070LSG-TR
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產(chǎn)品型號(hào) TP65H070LSG-TR
制造商 Transphorm
產(chǎn)品介紹 GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 700μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)96W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package3-PQFN (8x8)
Package / Case3-PowerDFN

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