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STD13NM60ND

STD13NM60ND
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產(chǎn)品型號 STD13NM60ND
制造商 STMicroelectronics
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.5 nC @ 10 V Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds845 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)109W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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