PSMN1R4-30YLDX
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產(chǎn)品型號 | PSMN1R4-30YLDX |
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制造商 | Nexperia |
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Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.42mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54.8 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3840 pF @ 15 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 166W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
Package / Case | SC-100, SOT-669 |
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PSMN1R4-30YLDX是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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