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IPD650P06NMATMA1

IPD650P06NMATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPD650P06NMATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 22A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.04mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)83W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO252-3-313
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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