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SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3
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產(chǎn)品型號 SQJ422EP-T1_GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 18A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4660 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)83W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? SO-8
Package / CasePowerPAK? SO-8

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