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SIR582DP-T1-RE3

SIR582DP-T1-RE3
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產(chǎn)品型號 SIR582DP-T1-RE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.9A (Ta), 116A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3360 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)5.6W (Ta), 92.5W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? SO-8
Package / CasePowerPAK? SO-8

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