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BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) BSC015NE2LS5IATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 12 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 50W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8-6
Package / Case8-PowerTDFN

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