FCD4N60TM
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| 產(chǎn)品型號 | FCD4N60TM |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK 我們努力為客戶提供 onsemi品牌的產(chǎn)品FCD4N60TM 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-252AA |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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