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PSMN1R5-30YLC,115

PSMN1R5-30YLC,115
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產(chǎn)品型號 PSMN1R5-30YLC,115
制造商 Nexperia
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4044 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)179W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Package / CaseSC-100, SOT-669

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